铠侠发布第10代闪存 332层堆叠创纪录 性能全球领先

铠侠与闪迪联合宣布了其最新的第10代BiCS 3D NAND闪存技术，这一突破性产品在堆叠层数、存储密度和接口速率性能方面均达到了新的高度。新闪存采用了CBA双晶圆键合技术，将CMOS控制电路和NAND存储阵列分别制造后键合在一起，借鉴了长江存储的Xtacking架构。通过这种方式，新一代闪存实现了前所未有的332层堆叠，比上一代218层增加了38%，超越了目前市场上所有竞争对手的产品，包括SK海力士的321层、三星的290层以及美光的276层。

得益于更多层的堆叠，铠侠的新闪存存储密度大幅提升59%，达到每平方毫米36.4Gb，远超西数的22.9Gb和SK海力士的20Gb。此外，该闪存支持Toggle DDR6.0接口规范，传输速度高达4800MT/s，比前代提升了33%，再次刷新行业纪录。同时，铠侠引入了PI-LTT低功耗技术，使输入功耗降低10%，输出功耗降低34%，进一步满足了现代设备对能效的需求。

尽管铠侠尚未公布具体的闪存类型（TLC/QLC）及单Die容量，但可以预见的是，这款新技术将在未来几年内为智能手机、平板电脑等消费电子产品带来显著的性能提升，并有望推动整个存储行业的技术进步。随着数据量的不断增长，尤其是AI技术的发展，高效能存储解决方案的重要性日益凸显，而铠侠此次发布的新品无疑为此提供了强有力的支持。