SK海力士量产全球首款321层NAND闪存 突破300层技术界限

韩国首尔，2024年11月21日——SK海力士今日宣布，已开始量产全球首款321层1Tb TLC 4D NAND闪存。这一突破标志着该公司在存储技术领域迈出了重要一步，成为首家实现超过300层NAND闪存量产的企业。

早在2023年6月，SK海力士便推出了当时最高的238层NAND闪存产品，并成功供应市场。此次推出的321层NAND闪存不仅突破了技术界限，还在多个关键性能指标上实现了显著提升。与上一代产品相比，新产品的数据传输速度提高了12%，读取性能提升了13%，同时数据读取能效也提高了10%以上。

在开发过程中，SK海力士采用了高生产效率的“3-Plug”工艺技术，通过三次通孔制程和优化的后续工艺，克服了堆叠局限。此外，公司还研发了低变形材料，并引入了通孔间自动排列矫正技术，从而确保了工艺的精度与可靠性。这些创新使得321层NAND闪存的生产效率相比上一代产品提升了59%。

SK海力士计划从2025年上半年起向客户提供这款新产品，以满足不断增长的市场需求。该产品将主要面向AI数据中心、端侧AI等高性能存储市场，助力公司在AI存储领域的领先地位。

SK海力士NAND闪存开发负责人Jungdal Choi表示：“最新的发展使我们离成为全方位面向AI的存储器供应商更近了一步。我们将继续在HBM为代表的DRAM和NAND闪存领域提供超高性能的产品组合。”

这一里程碑式的成就不仅巩固了SK海力士在全球半导体行业的地位，也为未来的存储技术创新奠定了坚实基础。