三星公布HBM4E内存路线图 单堆栈64GB 带宽提升25

在近期召开的IEEE ISSCC 2025国际固态电路会议上，三星电子公布了其最新的HBM内存路线图，并详细介绍了即将推出的HBM4E内存的技术参数。据韩媒SEDaily报道，三星表示，HBM4E相较于前代HBM4有两大显著改进：首先，通过引入32Gb DRAM裸片，在16Hi堆叠配置下，单个堆栈的容量将扩展至64GB；其次，每引脚传输速率提升至10Gbps，使得整体带宽相比HBM4提高了25%。

这些技术进步不仅意味着更高的数据处理能力和更快的数据传输速度，还为大规模计算任务和复杂的人工智能应用提供了强有力的支持。特别是对于需要大量内存带宽的领域，如图像处理、自然语言处理等，HBM4E的推出无疑是一大福音。

下游应用方面，HBM4E内存在未来几年内有望被英伟达采用。预计2027年，英伟达将推出一款名为Rubin Ultra的AI GPU，该产品支持12个HBM4E堆栈，这意味着单个加速器的内存容量可达到惊人的768GB。这一突破性进展将极大地提升科学计算、深度学习及其他高性能计算领域的效率。

三星电子此次公布的技术路线图，不仅展示了其在高带宽内存领域的领先地位，也预示着未来高性能计算设备将迎来新的发展机遇。随着HBM4E内存的逐步普及，人工智能和云计算等领域的性能表现将得到显著提升。